Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
460 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-523 (SC-89)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
270 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,58 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.7mm
Profundidad
0.85mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.8mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 25 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 0,03
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
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Maximum Continuous Drain Current
460 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-523 (SC-89)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
270 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,58 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.7mm
Profundidad
0.85mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.8mm
País de Origen
China
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