MOSFET DiodesZetex DMC3021LSD-13, VDSS 30 V, ID 7 A, 8,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7 A, 8,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ, 53 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,1 nC a 10 V, 21,1 nC a 4,5 V
Anchura
3.95mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
4.95mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 37,26
€ 0,298 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
125
€ 37,26
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125
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 125 - 600 | € 0,298 | € 7,45 |
| 625 - 1225 | € 0,248 | € 6,20 |
| 1250+ | € 0,20 | € 5,00 |
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N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7 A, 8,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ, 53 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,1 nC a 10 V, 21,1 nC a 4,5 V
Anchura
3.95mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
4.95mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.5mm
País de Origen
China
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