MOSFET DiodesZetex DMC3016LNS-7, VDSS 30 V, ID 6,8 A, 9 A, PDI3333 de 8 pines, 2elementos, config. Base doble
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
6,8 A, 9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PDI3333
Serie
DMC3016LNS
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ, 38 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2 V, 2.4 V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2 V, 1.4 V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Dual Base
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,7 nC a 15 V, 21 nC a 15 V
Ancho
3.15mm
Número de Elementos por Chip
2
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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P.O.A.
20
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PDI3333
Serie
DMC3016LNS
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ, 38 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2 V, 2.4 V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2 V, 1.4 V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Dual Base
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,7 nC a 15 V, 21 nC a 15 V
Ancho
3.15mm
Número de Elementos por Chip
2
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
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