MOSFET DiodesZetex DMC3016LDV-7, VDSS 30 V, ID 15 A, 21 A, PDI3333 de 8 pines, 2elementos, config. Base doble
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
15 A, 21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
DMC3016LDV
Tipo de Encapsulado
PDI3333
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 mΩ, 38 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2 V, 2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2 V, 1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.8 W
Transistor Configuration
Dual Base
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
3.15mm
Número de Elementos por Chip
2
Largo
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,7 nC a 15 V, 21 nC a 15 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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| 20 - 80 | € 0,523 | € 10,47 |
| 100 - 480 | € 0,461 | € 9,21 |
| 500 - 980 | € 0,449 | € 8,97 |
| 1000 - 1980 | € 0,437 | € 8,73 |
| 2000+ | € 0,427 | € 8,54 |
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
DMC3016LDV
Tipo de Encapsulado
PDI3333
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 mΩ, 38 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2 V, 2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2 V, 1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.8 W
Transistor Configuration
Dual Base
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
3.15mm
Número de Elementos por Chip
2
Largo
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,7 nC a 15 V, 21 nC a 15 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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