Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
15 A, 21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PDI3333
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 mΩ, 38 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2 V, 2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2 V, 1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Transistor Configuration
Dual Base
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.15mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,7 nC a 15 V, 21 nC a 15 V
Altura
0.8mm
Serie
DMC3016LDV
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 0,734
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
20
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,734 | € 14,69 |
100 - 480 | € 0,647 | € 12,94 |
500 - 980 | € 0,629 | € 12,58 |
1000 - 1980 | € 0,613 | € 12,26 |
2000+ | € 0,599 | € 11,98 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
15 A, 21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PDI3333
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 mΩ, 38 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2 V, 2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2 V, 1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Transistor Configuration
Dual Base
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.15mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,7 nC a 15 V, 21 nC a 15 V
Altura
0.8mm
Serie
DMC3016LDV
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto