Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 0,062
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
100
€ 0,062
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 500 | € 0,062 | € 6,20 |
600 - 1400 | € 0,051 | € 5,15 |
1500+ | € 0,05 | € 5,03 |
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto