Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
3mm
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 1,82
€ 0,018 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 1,82
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Empaque de Producción (Rollo)
100
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DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
3mm
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto