MOSFET DiodesZetex BS250P, VDSS 45 V, ID 230 mA, Línea E de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
230 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
45 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.77mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.01mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 17,93
€ 0,448 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
40
€ 17,93
€ 0,448 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
40
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
|---|---|---|
| 40 - 195 | € 0,448 | € 2,24 |
| 200 - 995 | € 0,39 | € 1,95 |
| 1000 - 1995 | € 0,336 | € 1,68 |
| 2000+ | € 0,305 | € 1,52 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
230 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
45 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.77mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.01mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products