Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
3.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 12,92
€ 0,431 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
30
€ 12,92
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Empaque de Producción (Rollo)
30
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
30 - 145 | € 0,431 | € 2,15 |
150 - 745 | € 0,325 | € 1,63 |
750 - 1495 | € 0,287 | € 1,44 |
1500+ | € 0,256 | € 1,28 |
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
3.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto