Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
3.2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
700 V
Tipo de Encapsulado
TO-126
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
10 V
Tensión Máxima Emisor-Base
9 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
4 (mín.) MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
8.2 x 2.9 x 11.2mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores de alta tensión, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
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P.O.A.
4000
P.O.A.
4000
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Brand
DiodesZetexTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
3.2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
700 V
Tipo de Encapsulado
TO-126
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
10 V
Tensión Máxima Emisor-Base
9 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
4 (mín.) MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
8.2 x 2.9 x 11.2mm
País de Origen
China
Datos del producto