Memoria flash, Paralelo S34ML08G101TFI000 8Gbit, 4G x 2 bits, 25μs, TSOP, 48 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
8Gbit
Tipo de Interfaz
Parallel
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
48
Organización
4G x 2 bits
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NAND
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Dimensiones del Cuerpo
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Número de Palabras
4G
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
25µs
Datos del producto
Memoria Flash NOR SPI serie, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
SPI (interfaz periférica de serie) cuádruple de bajo recuento de pines
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
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P.O.A.
1
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
8Gbit
Tipo de Interfaz
Parallel
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
48
Organización
4G x 2 bits
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NAND
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Dimensiones del Cuerpo
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Número de Palabras
4G
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
25µs
Datos del producto
Memoria Flash NOR SPI serie, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
SPI (interfaz periférica de serie) cuádruple de bajo recuento de pines
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.