Memoria FRAM Infineon FM16W08-SG, 28 pines, SOIC, Paralelo, 64kbit, 8K x 8 bits, 70ns, 2,7 V a 5,5 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
64kbit
Organización
8K x 8 bits
Tipo de Interfaz
Parallel
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
28
Dimensiones del Cuerpo
18.11 x 7.62 x 2.37mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
8K
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Datos del producto
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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SOIC W
Conteo de Pines
28
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Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Número de Palabras
8K
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Datos del producto
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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