Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 4Mbit, 512k x 8 bits, VFBGA-36, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
512K x 8 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
8bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
VFBGA
Conteo de Pines
36
Dimensiones del Cuerpo
6 x 8 x 0.84mm
Altura
0.84mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Profundidad
8mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.2 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
6mm
Datos del producto
Memoria RAM estática asíncrona, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
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P.O.A.
1
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Especificaciones
Tamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
512K x 8 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
8bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
VFBGA
Conteo de Pines
36
Dimensiones del Cuerpo
6 x 8 x 0.84mm
Altura
0.84mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Profundidad
8mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.2 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
6mm
Datos del producto