Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 4Mbit, 256 K x 16, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
256 K x 16
Número de Palabras
256K
Número de Bits de Palabra
16bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
55ns
Ancho del Bus de Direcciones
18bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
44
Dimensiones del Cuerpo
18.517 x 10.262 x 1.044mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1.044mm
Longitud
18.52mm
Ancho
10.262mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.2 V
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
Datos del producto
Memoria RAM estática asíncrona, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
256 K x 16
Número de Palabras
256K
Número de Bits de Palabra
16bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
55ns
Ancho del Bus de Direcciones
18bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
44
Dimensiones del Cuerpo
18.517 x 10.262 x 1.044mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1.044mm
Longitud
18.52mm
Ancho
10.262mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.2 V
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
Datos del producto