Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 1Mbit, 128k x 8 bits, 1MHZ, SOIC-32, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
128K x 8 bits
Número de Palabras
128K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
8bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
32
Dimensiones del Cuerpo
20.75 x 11.43 x 2.88mm
Altura
2.88mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Ancho
11.43mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.2 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Longitud
20.75mm
País de Origen
United States
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P.O.A.
25
P.O.A.
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
128K x 8 bits
Número de Palabras
128K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
8bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
32
Dimensiones del Cuerpo
20.75 x 11.43 x 2.88mm
Altura
2.88mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Ancho
11.43mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.2 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Longitud
20.75mm
País de Origen
United States