Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 8Mbit, 512 k x 16 bits, TSOP-54, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
8Mbit
Organización
512 k x 16 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
16bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
16bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
54
Dimensiones del Cuerpo
22.517 x 10.262 x 1.05mm
Altura
1.05mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Profundidad
10.262mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
22.517mm
Datos del producto
RAM no volátil, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).
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P.O.A.
1
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
8Mbit
Organización
512 k x 16 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
16bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
16bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
54
Dimensiones del Cuerpo
22.517 x 10.262 x 1.05mm
Altura
1.05mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Profundidad
10.262mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
22.517mm
Datos del producto
RAM no volátil, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).