Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
BournsTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
25 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-93
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Maximum Collector Base Voltage
140 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
12.2 x 15.2 x 4.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
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P.O.A.
1
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BournsTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
25 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-93
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Maximum Collector Base Voltage
140 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
12.2 x 15.2 x 4.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC