Amplificador de RF HMC580ST89E MMIC, 22 dB 1-Canales 1 GHz SOT-89, 3-Pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
MMIC
Ganancia de Potencia Típica
22 dB
Potencia de Salida Típica
22dBm
Cifra de Ruido Típico
2.8dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
4.6 x 2.59 x 1.6mm
Altura
1.6mm
Longitud
4.6mm
Serie
Hittite
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5 V
Ancho
2.59mm
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
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P.O.A.
2
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Especificaciones
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Analog DevicesTipo de Amplificador
MMIC
Ganancia de Potencia Típica
22 dB
Potencia de Salida Típica
22dBm
Cifra de Ruido Típico
2.8dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
4.6 x 2.59 x 1.6mm
Altura
1.6mm
Longitud
4.6mm
Serie
Hittite
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5 V
Ancho
2.59mm
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.