Amplificador de RF HMC430LP4E Ruido bajo 1-Canales 5,5 GHz Montaje superficial, 24-Pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Ruido bajo
Potencia de Salida Típica
2dBm
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
5,5 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SMT
Conteo de Pines
24
Dimensiones del Cuerpo
4.1 x 4.1 x 1mm
Altura
1mm
Longitud
4.1mm
Ancho
4.1mm
Serie
Hittite
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3 V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
Ruido bajo
Potencia de Salida Típica
2dBm
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
5,5 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SMT
Conteo de Pines
24
Dimensiones del Cuerpo
4.1 x 4.1 x 1mm
Altura
1mm
Longitud
4.1mm
Ancho
4.1mm
Serie
Hittite
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3 V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.