Amplificador de RF HMC326MS8GE MMIC, 21 dB 1-Canales 4,5 GHz MSOP, 8-Pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
MMIC
Ganancia de Potencia Típica
21 dB
Potencia de Salida Típica
23.5dBm
Cifra de Ruido Típico
5dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
4,5 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
Mini SO
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 3.1 x 0.95mm
Altura
0.95mm
Longitud:
3.1mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5 V
Profundidad
3.1mm
Serie
Hittite
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
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P.O.A.
50
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50
Documentos Técnicos
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Brand
Analog DevicesTipo de Amplificador
MMIC
Ganancia de Potencia Típica
21 dB
Potencia de Salida Típica
23.5dBm
Cifra de Ruido Típico
5dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
4,5 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
Mini SO
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 3.1 x 0.95mm
Altura
0.95mm
Longitud:
3.1mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5 V
Profundidad
3.1mm
Serie
Hittite
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
Amplificadores RF, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite tiene una serie de amplificadores RF con una amplia gama de funciones. Algunos cuentan con amplificadores de bajo ruido; algunos amplificadores RF están integrados con resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y ampliadores de búfer, y otros ofrecen amplificadores con controlador MMIC con transistores bipolares de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia.