Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, rango onda λ 740 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, 5 mm
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico
14µs
Typical Rise Time
14µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
12500µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
20 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
5mm (T-1 3/4)
Dimensiones
5.9 x 5.9 x 9mm
Corriente del Colector
50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
740 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
740nm
Profundidad
5.9mm
Altura
9mm
Longitud
5.9mm
Datos del producto
Encapsulado de fototransistor T-1 3/4 (5 mm)
Esta familia de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se compone de una gama de dispositivos de orificio pasante de 5 mm (T-1 3/4). Los dos presentan lentes de plástico negras o transparentes; la lente difusa se utiliza para filtros diurnos. Las aplicaciones adecuadas incluyen: unidades flash controladas por ordenador, fotointerruptores, electrónica industrial y circuitos de accionamiento/control.
Encapsulados de 5 mm (T-1 3/4)
Montaje de orificio pasante
IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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| 100 - 240 | € 0,42 | € 4,20 |
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Corriente de Oscuridad Máxima
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Ángulo de Sensibilidad Media
20 °
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NPN
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Encapsulado
5mm (T-1 3/4)
Dimensiones
5.9 x 5.9 x 9mm
Corriente del Colector
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Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
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Profundidad
5.9mm
Altura
9mm
Longitud
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Esta familia de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se compone de una gama de dispositivos de orificio pasante de 5 mm (T-1 3/4). Los dos presentan lentes de plástico negras o transparentes; la lente difusa se utiliza para filtros diurnos. Las aplicaciones adecuadas incluyen: unidades flash controladas por ordenador, fotointerruptores, electrónica industrial y circuitos de accionamiento/control.
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