Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, rango onda λ 880 → 1120 nm, corriente Ic 15mA, mont. pasante, 3 mm
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico
7µs
Typical Rise Time
7µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
4500µA
Corriente de Oscuridad Máxima
1 (≤ 50)nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±12 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
3 mm (T-1)
Dimensiones del Cuerpo
3.1 (Dia.) x 5.2mm
Corriente del Colector
15mA
Diámetro
3.1mm
Mínima Longitud de Onda Detectada
880nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1120nm
Rango Espectral de Sensibilidad
880 → 1120 nm
Tensión del colector de emisión
35 V
Altura
5.2mm
Tensión de saturación
200mV
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Fototransistor con encapsulado T-1 (3 mm)
Esta familia de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se compone de una gama de dispositivos de orificio pasante de 3 mm (T-1). Los dos presentan lentes de plástico negras o transparentes; la lente difusa se utiliza para filtros diurnos. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.
Encapsulado estándar de 3 mm (T-1)
Montaje de orificio pasante
IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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Dimensiones del Cuerpo
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Corriente del Colector
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Diámetro
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Mínima Longitud de Onda Detectada
880nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
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Rango Espectral de Sensibilidad
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Tensión del colector de emisión
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Altura
5.2mm
Tensión de saturación
200mV
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Fototransistor con encapsulado T-1 (3 mm)
Esta familia de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se compone de una gama de dispositivos de orificio pasante de 3 mm (T-1). Los dos presentan lentes de plástico negras o transparentes; la lente difusa se utiliza para filtros diurnos. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.
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