Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
Infrarrojo, Ultravioleta, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
7µs
Typical Rise Time
7µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
4500µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
24 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
3 mm (T-1)
Dimensiones del Cuerpo
4 x 4 x 5.2mm
Corriente del Colector
15mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
380nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1150nm
Rango Espectral de Sensibilidad
380 → 1150 nm
Profundidad
4mm
Longitud:
4mm
Altura
5.2mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Fototransistor con encapsulado de 3 mm
Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
Infrarrojo, Ultravioleta, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
7µs
Typical Rise Time
7µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
4500µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
24 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
3 mm (T-1)
Dimensiones del Cuerpo
4 x 4 x 5.2mm
Corriente del Colector
15mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
380nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1150nm
Rango Espectral de Sensibilidad
380 → 1150 nm
Profundidad
4mm
Longitud:
4mm
Altura
5.2mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto