Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, luz visible, rango onda λ 400 → 1100 nm, corriente Ic 100mA, mont.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Spectrum(s) Detected
Infrared, Visible Light
Tiempo de Bajada Típico
12µs
Typical Rise Time
12µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
5800µA
Corriente de Oscuridad Máxima
50nA
Ángulo de Sensibilidad Media
16 °
Polarity
NPN
Number of Pins
3
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
5.6 x 5.6 x 6.2mm
Corriente del Colector
100mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
400nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Rango Espectral de Sensibilidad
400 → 1100 nm
Largo
5.6mm
Profundidad
5.6mm
Altura
6.2mm
Datos del producto
Encapsulado de fototransistor TO-18
Esta familia de fototransistores NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en encapsulados de orificio pasante T-18 estándar. Estos encapsulados de metal TO-18 convierten a estos fototransistores en ideales para aplicaciones en entornos hostiles.
IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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€ 1,295
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1000
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Ángulo de Sensibilidad Media
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Dimensiones del Cuerpo
5.6 x 5.6 x 6.2mm
Corriente del Colector
100mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
400nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
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Rango Espectral de Sensibilidad
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Largo
5.6mm
Profundidad
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Altura
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Encapsulado de fototransistor TO-18
Esta familia de fototransistores NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en encapsulados de orificio pasante T-18 estándar. Estos encapsulados de metal TO-18 convierten a estos fototransistores en ideales para aplicaciones en entornos hostiles.
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