Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
22,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Serie
C3M
Tipo de Encapsulado
TO-263-7
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
83000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+15 V, +9 V.
Ancho
9.12mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
SiC
Longitud:
10.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21,5 a 4/+15 V
Altura
4.32mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
4.8V
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$ 16,70
Each (Sin IVA)
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | $ 16,70 |
10 - 19 | $ 14,90 |
20 - 39 | $ 14,57 |
40+ | $ 14,22 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
22,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Serie
C3M
Tipo de Encapsulado
TO-263-7
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
83000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+15 V, +9 V.
Ancho
9.12mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
SiC
Longitud:
10.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21,5 a 4/+15 V
Altura
4.32mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
4.8V