Resistencia SMD Vishay, 5mΩ, ±1%, 1W, Lámina de Metal, 0805 (2012M), Serie WSLP
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayRango
5mΩ
Technology
Lámina de Metal
Encapsulado
0805 (2012M)
Tolerancia
±1%
Potencia Nominal
1W
Temperature Coefficient
±110ppm/°C
Series
WSLP
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+170°C
Datos del producto
Formato 0805 serie WSLP0805...18 - 1 %
La serie WSLP0805…18 de resistencias de chip proporciona una solución óhmica baja de alta potencia. Esta serie dispone de una relación de alta potencia (1 W) y tamaño compacto y ofrece valores de resistencia de 0,005 Ω. Con una construcción totalmente soldada, estas resistencias de alta potencia contienen una aleación de cobre manganeso o elemento de níquel-cromo metálico con baja TCR.
Aplicaciones
Las resistencias de chip de alta potencia WSLP0805 son adecuadas para aplicaciones de detección de pulso y corriente, incluidos amplificadores de potencia, derivaciones, instrumentos, fuentes de alimentación lineales y conmutación.
Detección de corriente>3 μV/°C EMF térmico bajo
Valores de inductancia bajos entre 0,5 nH y 5 nH
Bajo coeficiente de temperatura de resistencia
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| 50 - 90 | € 0,769 | € 7,69 |
| 100 - 240 | € 0,728 | € 7,28 |
| 250 - 490 | € 0,688 | € 6,88 |
| 500+ | € 0,648 | € 6,48 |
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5mΩ
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Lámina de Metal
Encapsulado
0805 (2012M)
Tolerancia
±1%
Potencia Nominal
1W
Temperature Coefficient
±110ppm/°C
Series
WSLP
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+170°C
Datos del producto
Formato 0805 serie WSLP0805...18 - 1 %
La serie WSLP0805…18 de resistencias de chip proporciona una solución óhmica baja de alta potencia. Esta serie dispone de una relación de alta potencia (1 W) y tamaño compacto y ofrece valores de resistencia de 0,005 Ω. Con una construcción totalmente soldada, estas resistencias de alta potencia contienen una aleación de cobre manganeso o elemento de níquel-cromo metálico con baja TCR.
Aplicaciones
Las resistencias de chip de alta potencia WSLP0805 son adecuadas para aplicaciones de detección de pulso y corriente, incluidos amplificadores de potencia, derivaciones, instrumentos, fuentes de alimentación lineales y conmutación.
Detección de corriente>3 μV/°C EMF térmico bajo
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