Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Encapsulado
TO-240AA
Corriente Continua Máxima Directa
400A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
45V
Tipo de Rectificador
Rectificador de recuperación
Conteo de Pines
3
País de Origen
India
Datos del producto
Módulos IGBT, Vishay
Los módulos de alta eficiencia IGBT de Vishay se suministran con una selección de tecnologías de PT, NPT y Trench IGBT. La gama incluye interruptores sencillos, inversores, choppers, medios puentes o configuraciones personalizadas. Estos módulos IGBT están diseñados para utilizarse como un dispositivo principal de conmutación en fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación ininterrumpidas, soldadura industrial, controladores de motores y sistemas de corrección de factor de potencia.
Entre las aplicaciones típicas se incluyen convertidores de reducción y elevación, convertidores directos y directos dobles, medios puentes, puentes completos (puente H) y puentes trifásicos.
Amplia gama de tipos de encapsulados estándar del sector
Montaje directo sobre disipador de calor
Selección de tecnologías PT, NPT y Trench IGBT
IGBT de VCE(on) bajo
Frecuencia de conmutación de 1 kHz a 150 kHz
Rendimiento resistente de transitorios
Alta tensión de aislamiento hasta 3500 V
100% sin plomo (Pb) y en conformidad con RoHS
Resistencia térmica baja
Rango de temperaturas de funcionamiento amplio (-40 °C a +175 °C)
IGBT Modules, Vishay
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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20+ | € 44,532 | € 445,32 |
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Los módulos de alta eficiencia IGBT de Vishay se suministran con una selección de tecnologías de PT, NPT y Trench IGBT. La gama incluye interruptores sencillos, inversores, choppers, medios puentes o configuraciones personalizadas. Estos módulos IGBT están diseñados para utilizarse como un dispositivo principal de conmutación en fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación ininterrumpidas, soldadura industrial, controladores de motores y sistemas de corrección de factor de potencia.
Entre las aplicaciones típicas se incluyen convertidores de reducción y elevación, convertidores directos y directos dobles, medios puentes, puentes completos (puente H) y puentes trifásicos.
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IGBT de VCE(on) bajo
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Resistencia térmica baja
Rango de temperaturas de funcionamiento amplio (-40 °C a +175 °C)
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.