MOSFET Vishay SIR668DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 65 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 134-9725Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIR668DP-T1-RE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

65 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5,05 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

5.26mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

6.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

72 nC a 10 V

Altura

1.12mm

Serie

TrenchFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2€ 4,72
4€ 9,45
6€ 14,17
8€ 18,90
10€ 23,62
12€ 28,35
14€ 33,07
16€ 37,80
18€ 42,52
20€ 40,11
22€ 44,13
24€ 48,14
26€ 52,15
28€ 56,16
30€ 60,17

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
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20 - 98€ 2,006€ 4,01
100 - 198€ 1,748€ 3,50
200 - 498€ 1,438€ 2,88
500+€ 1,134€ 2,27

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Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5,05 mΩ

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.4V

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