Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
4,8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.89mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V, 8,8 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
4.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.04mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 0,939
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 0,939
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,939 | € 4,69 |
50 - 245 | € 0,892 | € 4,46 |
250 - 495 | € 0,657 | € 3,29 |
500 - 1245 | € 0,61 | € 3,05 |
1250+ | € 0,545 | € 2,72 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
4,8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.89mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V, 8,8 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
4.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.04mm
País de Origen
China
Datos del producto