Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
5mm
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,5 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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£ 0,99
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
5
£ 0,99
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
5 - 45 | £ 0,99 | £ 4,95 |
50 - 245 | £ 0,93 | £ 4,65 |
250 - 495 | £ 0,842 | £ 4,21 |
500 - 1245 | £ 0,792 | £ 3,96 |
1250+ | £ 0,744 | £ 3,72 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
5mm
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,5 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto