MOSFET Vishay SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
263 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura de funcionamiento máxima
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,6 nC a 8 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 0,32
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
€ 0,32
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,32 | € 15,99 |
| 500 - 1200 | € 0,237 | € 11,83 |
| 1250 - 2450 | € 0,199 | € 9,93 |
| 2500 - 4950 | € 0,176 | € 8,80 |
| 5000+ | € 0,161 | € 8,03 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
263 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura de funcionamiento máxima
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,6 nC a 8 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products