MOSFET Vishay IRFZ14PBF, VDSS 60 V, ID 10 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
43000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.41mm
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
9.01mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,03
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 1,03 |
10 - 49 | € 0,91 |
50 - 99 | € 0,85 |
100 - 249 | € 0,77 |
250+ | € 0,72 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
43000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.41mm
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
9.01mm
Datos del producto