MOSFET Vishay IRFD024PBF, VDSS 60 V, ID 2,5 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
5mm
Profundidad
6.29mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
3.37mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
5mm
Profundidad
6.29mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
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