MOSFET Vishay IRF9530PBF, VDSS 100 V, ID 12 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.41mm
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.01mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
5
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P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.41mm
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.01mm
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