P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8L
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Altura
1.07mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
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€ 1.076,40
€ 0,359 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Altura
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