MOSFET Vishay Siliconix Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14,4 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
56.8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,9 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
5.99mm
Altura
1.07mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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€ 2.249,68
€ 0,75 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Montaje superficial
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
5.99mm
Altura
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