MOSFET Vishay Siliconix Si7172ADP-T1-RE3, VDSS 200 V, ID 17,2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 178-3664Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: Si7172ADP-T1-RE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

17.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-200 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

80 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

5.99mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

19,5 nC a 10 V

Ancho

5mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Altura

1.07mm

País de Origen

China

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P.O.A.

MOSFET Vishay Siliconix Si7172ADP-T1-RE3, VDSS 200 V, ID 17,2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

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Serie

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Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

80 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

5.99mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

19,5 nC a 10 V

Ancho

5mm

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