Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TSON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Altura
0.85mm
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 0,371
Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)
5000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
5000 - 5000 | € 0,371 | € 1.853,66 |
10000+ | € 0,343 | € 1.713,32 |
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Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TSON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Altura
0.85mm
Tensión de diodo directa
1.2V