MOSFET Toshiba TPH8R903NL,LQ(S, VDSS 30 V, ID 38 A, SOP de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 133-2810Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TPH8R903NL,LQ(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

37,9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

U-MOSVIII-H

Tipo de Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

24000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

5mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

9,8 nC a 10 V

Altura

0.95mm

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

Japan

Datos del producto

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 0,367 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TPH8R903NL,LQ(S, VDSS 30 V, ID 38 A, SOP de 8 pines, , config. Simple

20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 7,34
40€ 14,69
60€ 22,03
80€ 29,37
100€ 33,61
120€ 40,33
140€ 47,05
160€ 53,77
180€ 60,49
200€ 65,78
220€ 72,36
240€ 78,94
260€ 85,51
280€ 92,09
300€ 98,67

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Series

U-MOSVIII-H

Tipo de Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

24000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

5mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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