MOSFET Toshiba TK8P60W5,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 133-2804Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK8P60W5,RVQ(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Series

DTMOSIV

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

560 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

80000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

6.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

22 nC a 10 V

Ancho

6.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

2.3mm

Tensión de diodo directa

1.7V

País de Origen

Japan

Datos del producto

MOSFET de canal N, series TK8 y TK9, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 10,61

€ 1,061 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK8P60W5,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 10,61
20€ 21,22
30€ 31,83
40€ 42,43
50€ 53,04
60€ 63,65
70€ 74,26
80€ 84,87
90€ 95,48
100€ 106,09
110€ 116,69
120€ 127,30
130€ 137,91
140€ 148,52
150€ 159,13

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N

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Series

DTMOSIV

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

560 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

80000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

6.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

22 nC a 10 V

Ancho

6.1mm

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