MOSFET Toshiba TK56E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 112 A, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
112 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
120 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
168 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
69 nC a 10 V
Altura
15.1mm
Serie
U-MOSVIII-H
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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Maximum Continuous Drain Current
112 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
168 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
69 nC a 10 V
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