Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
30,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
DTMOSIV
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
88 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
230000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
65 nC a 10 V
Altura
15.1mm
Tensión de diodo directa
1.7V
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 7,10
€ 3,552 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
2
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2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 8 | € 3,552 | € 7,10 |
10 - 18 | € 2,601 | € 5,20 |
20 - 48 | € 2,536 | € 5,07 |
50 - 98 | € 2,458 | € 4,92 |
100+ | € 2,416 | € 4,83 |
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Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
30,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
DTMOSIV
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
88 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
230000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
65 nC a 10 V
Altura
15.1mm
Tensión de diodo directa
1.7V
País de Origen
Japan
Datos del producto