Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
43,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
53000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Profundidad
4.45mm
Material del transistor
Si
Altura
15.1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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$ 0,911
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
$ 0,911
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | $ 0,911 | $ 4,56 |
50 - 120 | $ 0,829 | $ 4,14 |
125 - 245 | $ 0,786 | $ 3,93 |
250 - 495 | $ 0,716 | $ 3,58 |
500+ | $ 0,656 | $ 3,28 |
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Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
43,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
53000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Profundidad
4.45mm
Material del transistor
Si
Altura
15.1mm
Datos del producto