MOSFET Texas Instruments TPS1101D, VDSS 15 V, ID 2.3 A, SOIC de 8 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

15 V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

90 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

791 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-15 V, +2 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

11,25 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

125 °C

Longitud:

4.9mm

Ancho

3.91mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Altura

1.58mm