MOSFET Texas Instruments CSD87355Q5DT, VDSS 30 V, ID 120 A, LSON-CLIP de 8 pines, 2elementos, config. Base doble
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
LSON-CLIP
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.75V
Disipación de Potencia Máxima
12 W
Transistor Configuration
Dual Base
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC, 40 nC
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
Power MOSFET Modules, Texas Instruments
Bloque de potencia NexFET de medio puente
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
LSON-CLIP
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.75V
Disipación de Potencia Máxima
12 W
Transistor Configuration
Dual Base
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC, 40 nC
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
Power MOSFET Modules, Texas Instruments
Bloque de potencia NexFET de medio puente