MOSFET Texas Instruments CSD18536KTTT, VDSS 60 V, ID 349 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
349 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
230 nC a 10 V
Profundidad
11.33mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1V
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
349 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
230 nC a 10 V
Profundidad
11.33mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1V
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto