Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
73 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 4,5 V
Profundidad
5mm
Serie
NexFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 0,565
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
10
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10
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Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
73 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 4,5 V
Profundidad
5mm
Serie
NexFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto