Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, +16 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Serie
NexFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, +16 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Serie
NexFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto