Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Material del transistor
Si
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,5 nC a 4,5 V
Ancho
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Material del transistor
Si
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,5 nC a 4,5 V
Ancho
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto