MOSFET Taiwan Semiconductor TSM4N80CI C0G, VDSS 800 V, ID 4 A, ITO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tipo de Encapsulado
ITO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
38.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10mm
Ancho
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tipo de Encapsulado
ITO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
38.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10mm
Ancho
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C