MOSFET Taiwan Semiconductor TSM126CX RFG, VDSS 600 V, ID 30 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
30 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,18 nC a 5 V
Profundidad
1.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
30 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,18 nC a 5 V
Profundidad
1.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm